Components-House.comへようこそ
プライバシーポリシー お問い合わせ
見積もり/ご注文

言語を選択してください

現在の言語: 日本語
まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-fet、mosfet-シングル > SPB10N10 G
SPB10N10 G Image
画像は参照のみです。
製品の詳細仕様を参照してください。

SPB10N10 G

工場モデル SPB10N10 G
メーカー Infineon Technologies
詳細な説明 MOSFET N-CH 100V 10.3A TO263-3
パッケージ PG-TO263-3-2
株式 4636 pcs
データシート SPB10N10Part Number GuideMultiple Devices 22/Feb/2008
提案された価格 （米ドルでの測定）
納期 Components-House.comは、電子部品の信頼できる在庫販売業者です。すべてのInfineon Technologiesシリーズの電子コンポーネントを専門としています。4636のInfineon Technologies SPB10N10 Gの断片が現在入手可能です。Components-House.comのElectronicsコンポーネントディストリビューターから見積もりをリクエストすると、当社の営業チームは24時間以内にお客様に連絡します。
RFQメール：info@Components-House.net
お問い合わせを送信 提出します 見積依頼 それらよりも大きい量
表示されます。

規格

製品属性 属性値
同上@ VGS（TH）（最大） 4V @ 21µA
Vgs（最大） ±20V
技術 MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ PG-TO263-3-2
シリーズ SIPMOS®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大） 170mOhm @ 7.8A, 10V
電力消費（最大） 50W (Tc)
パッケージ/ケース TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
パッケージ Tape & Reel (TR)
運転温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
製品属性 属性値
装着タイプ Surface Mount
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 426 pF @ 25 V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs 19.4 nC @ 10 V
FETタイプ N-Channel
FET特長 -
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン 100 V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 10.3A (Tc)
基本製品番号 SPB10N

おすすめ商品

SPB10N10 G データテーブルPDF

データシート

SPB10N10 Gに関連した語彙

SPB10N10 G関連コンポーネント